Микросветодиоды примерно в 100 раз меньше по сравнению с обычными источниками света. Их получают путем выращивания кристалла, получившегося полупроводникового слоя делают пластинки. На них наносят слои полупроводниковых материалов, которые будут преобразовывать ток в свет. Также для создания микросветодиодов часто используется метод сухого травления больших светодиодов — удаление их бокового слоя химическими веществами и плазмой.
После этапа сухого травления на стенках диодов появляются дефекты, из-за которых источники света работают совсем не так, как задумано. Например, электрическая энергия может превращаться не в свет, а в тепло. Для решения этой проблемы используют высокотемпературный отжиг, покрывают поверхность различными веществами, проводят травление боковых стенок гидроксидом калия. Но эти способы лишь слегка повышают эффективность.
Группа ученых из НИТУ МИСИС, Физического института имени Лебедева РАН и Университета Коре разработали новый метод устранения дефектов с наночастицами серебра. Их покрывают диоксидом кремния и смешивают с полимером, который заполняет пространство между наносветодиодами.
Эти частицы создают альтернативный маршрут передачи энергии для носителей заряда, что может улучшить его способность излучать свет, считают авторы проекта. Внутреннюю квантовую эффективность диодов удалось улучшить более чем на 10%. Этот показатель отвечает за то, насколько хорошо ток преобразуется в свет.
Ученые полагают, что разработка откроет новые возможности к созданию более ярких и энергоэффективных осветительных приборов. Наносветодиоды потребляют меньше энергии и, по некоторым данным, в 1000 раз эффективнее передают информацию (по сравнению с современными системами). То есть, они вполне могут стать основой для микрочипов нового поколения. В Нидерландах пять лет назад уже спроектировали систему из лампочек nano-LED, которая обеспечивает передачу данных на скорости 1 Гбит/с. Правда, массовой эта технология пока не стала.