Китайцы испугали производителей памяти переходом к архитектуре 4F Китайцы испугали производителей памяти переходом к архитектуре 4F Новому умному экрану Apple нужен ещё более умный iPhone Новому умному экрану Apple нужен ещё более умный iPhone Из Дании утекло полторы Дании: масштабная утечка данных Из Дании утекло полторы Дании: масштабная утечка данных Google Play готовят к нашествию вайбкодеров Google Play готовят к нашествию вайбкодеров

Китайцы испугали производителей памяти переходом к архитектуре 4F

🇨🇳 2 мин
Иллюстрация пресс-службы CXMT

Среди производителей памяти, одного из самых дефицитных и востребованных ныне товаров в микроэлектронике, переполох. Акции SK Hynix в Южной Корее упали примерно на 10%, Samsung – на 7,4%, а Micron в США – на 3,62%. Произошло это во вторник после того, как Цао Канью, президент CXMT, на конференции в Шанхае сообщил о «ключевом прогрессе» в архитектуре 4F. Конкурентов напугало не само заявление о «прогрессе», а утверждение, что уже к концу года CXMT собирается представить модуль памяти DDR5 RDIMM для серверов. Samsung, к примеру, весной планировал свой дебют в архитектуре 4F лишь к 2028 году. Разрыв в два года на таком рынке – это целая вечность.

Самой распространенной архитектурой памяти на сегодняшний день является 6F, переходить на нее начали еще в начале века. 6F – это площадь одной ячейки памяти относительно базового размера F. Проще говоря, в архитектуре 4F площадь одной ячейки памяти меньше на 33%, количество ячеек памяти на одной и той же площади массива получается больше практически на 50%. В итоге в перерасчете на 1 доллар объем памяти получается больше.

Внезапность заявления CXMT объясняется довольно просто: санкции закрыли китайским компаниям доступ к EUV-литографии ASML. Как следствие, китайским компаниям приходится придумывать альтернативное развитие технологий, которое отличается от мейнстрима. В итоге китайцы используют доступное им DUV-оборудование и движутся в сторону вертикальной интеграции. Цао Канью указал на два главных компонента стратегии CXMT: вертикальный транзистор с окружающим затвором VSG, который помогает уменьшить утечки тока и разместить ячейки плотнее, и раздельное изготовление массива ячеек памяти и периферийных схем на разных кремниевых пластинах с последующим соединением методом гибридного бондинга.

Заявления, впрочем, вовсе не означают, что уже к концу года рынок начнет наполняться китайской памятью нового поколения. От первых образцов до серийного производство могут пройти годы. Сроки могут уменьшиться, дефицит памяти уже привел к тому, что западные и азиатские компании нет-нет, да и закупят память у китайцев. Как минимум в этом были замечены HP, Asus и Acer, в чьих ноутбуках обнаружилась память CXMT.

// Сергей Половников