Чипсет QFE1100 примечателен тем, что в нем впервые реализована одна из самых востребованных технологий радиосвязи — отслеживание огибающей мощности (ET). Эта технология долгое время существовала лишь в научно-исследовательских лабораториях, будучи перспективным, но сложным решением в сфере радиосвязи. Наконец ET реализована в коммерческом устройстве — Samsung GALAXY Note 3. ET также играет важную роль в работе еще одной новинки от Qualcomm, универсальном сетевом чипе Qualcomm RF360, поддерживающем все популярные стандарты связи.
Для технологии ET особенно важны колебания сигнала и его усиление. LTE отличается тем, что формируется путем объединения нескольких сотен менее сильных сигналов, в то время как сигнал 2G/3G представляет собой единую волну. При объединении сигналов возникают колебания итогового сигнала, так как при совпадении пиков более слабых сигналов на выходе он получается более сильным. Для LTE с большей пропускной способностью необходимо объединение не сотен, а тысяч сигналов, что приводит к еще более серьезным колебаниям итогового сигнала LTE.
При этом колебания сигнала отрицательно сказываются на его усилении. Традиционный усилитель мощности, необходимый для передачи сигналов с телефона на вышку мобильной связи, работает с фиксированным напряжением питания и расходует энергию эффективно только на пиках передачи. При высокой изменчивости сигнала обычно устанавливается намного более высокое фиксированное напряжение, чем это необходимо. В результате избыточная энергия и тепло рассеиваются внутри мобильного устройства, увеличивая расход аккумулятора.
Это сравнимо с тем, как мог бы чувствовать себя человек, чье сердце постоянно бьется со скоростью 200 ударов в минуту, тогда как нормальный пульс должен составлять всего 72. Точно так же, как сердце постоянно регулирует кровоснабжение в зависимости от нагрузки, чипсет QFE1100 регулирует питание усилителя мощности в зависимости от уровня его итогового сигнала.
Технология ET повысит надежность усиленного сигнала, сделает усилитель мощности на 20% более энергоэффективным и на 30% сократит его тепловыделение. Это значит, что аккумулятор сможет работать дольше, мобильные устройства будут меньше нагреваться, а также появится возможность уменьшить их толщину. Кроме того, производители мобильных телефонов смогут разрабатывать более доступные устройства с глобальным LTE-покрытием, используя меньшее число усилителей мощности.
С промышленным выпуском чипсетов QFE1100, позволяющих создавать мобильные устройства 4G LTE следующего поколения, компании Qualcomm действительно удалось повысить эффективность мобильной радиосвязи.